Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4436DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5449104

SI4436DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.435
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4436DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4436DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36 mOhm @ 4.6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4436DY-T1-GE3TR
    SI4436DYT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1100pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 8A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4436DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.