Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > RF / IF ja RFID > RF transiiveri mikrosüsteemid > SI4438-B1C-FM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2213771

SI4438-B1C-FM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.58
25+
$2.48
100+
$2.384
1000+
$2.181
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4438-B1C-FM
  • Tootja / bränd
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.SI4438-B1C-FM.pdf
    2.SI4438-B1C-FM.pdf
  • Pinge - varustus
    1.8 V ~ 3.6 V
  • Tüüp
    TxRx + MCU
  • Seeria
    -
  • Jadaliidesed
    SPI
  • Tundlikkus
    -124dBm
  • RF perekond / standard
    General ISM < 1GHz
  • Protokoll
    -
  • Võimsus
    20dBm (Max)
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    20-VFQFN Exposed Pad
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Modulatsioon
    FSK, GFSK, GMSK, OOK
  • Mälu suurus
    -
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • GPIO
    4
  • Sagedus
    425MHz ~ 525MHz
  • Täpsem kirjeldus
    IC RF TxRx + MCU General ISM
  • Andmeedastuskiirus (max)
    500kbps
  • Praegune - edastamine
    75mA
  • Praegune - vastuvõtmine
    14mA

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4438-B1C-FM" seotud tooted.
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.