Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP1M009A090N

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

517001

GP1M009A090N pilt

Global Power Technologies Group

GP1M009A090N

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

GP1M009A090N
Tootja / bränd

SemiQ
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

GP1M009A090N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (max)

±30V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

TO-3PN
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Voolukatkestus (max)

312W (Tc)
Pakend

Tube
Pakett / kott

TO-3P-3, SC-65-3
Muud nimed

1560-1174-1
1560-1174-1-ND
1560-1174-5
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

2324pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

10V
Vooluallikas (Vdss)

900V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 900V 9.5A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

9.5A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "GP1M009A090N" seotud tooted.

GP1M009A020FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A050HS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M010A080FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A020HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A020PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A090H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A090FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A050FSH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M011A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M009A070F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M010A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M011A050FSH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M010A080N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M011A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M010A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M010A080H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M012A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M011A050HS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.