Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP1M011A050HS
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6740140GP1M011A050HS piltGlobal Power Technologies Group

GP1M011A050HS

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GP1M011A050HS
  • Tootja / bränd
    SemiQ
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 10A TO220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GP1M011A050HS.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700 mOhm @ 5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    158W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1546pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 10A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29
Saatmine
Makse
Järgnev on "GP1M011A050HS" seotud tooted.
GP1M015A050FH

GP1M015A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M010A080N

GP1M010A080N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M015A050H

GP1M015A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M013A050H

GP1M013A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M011A050FH

GP1M011A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M010A080H

GP1M010A080H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A025HG

GP1M016A025HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A025FG

GP1M016A025FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M012A060FH

GP1M012A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M013A050FH

GP1M013A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M011A050H

GP1M011A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.