Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP1M016A025HG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2062668GP1M016A025HG piltGlobal Power Technologies Group

GP1M016A025HG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GP1M016A025HG
  • Tootja / bränd
    SemiQ
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 250V 16A TO220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GP1M016A025HG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240 mOhm @ 8A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    93.9W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    1560-1185-1
    1560-1185-1-ND
    1560-1185-5
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    944pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    250V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 250V 16A (Tc) 93.9W (Tc) Through Hole TO-220
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "GP1M016A025HG" seotud tooted.
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M012A060FH

GP1M012A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M013A050FH

GP1M013A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A060H

GP1M016A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M011A050H

GP1M011A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M013A050H

GP1M013A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M015A050H

GP1M015A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A060N

GP1M016A060N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A060F

GP1M016A060F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M016A025FG

GP1M016A025FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M020A050N

GP1M020A050N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M011A050HS

GP1M011A050HS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M015A050FH

GP1M015A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.