Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - RF > RN262GT2R
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1307159RN262GT2R piltLAPIS Semiconductor

RN262GT2R

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
8000+
$0.099
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN262GT2R
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    30V
  • Pakkuja seadme pakett
    VMD2
  • Seeria
    -
  • Resistentsus @ Kui, F
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Voolukatkestus (max)
    100mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    2-SMD, Flat Lead
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    PIN - Single
  • Täpsem kirjeldus
    RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMD2
  • Praegune - maks
    100mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    0.4pF @ 1V, 1MHz
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RN262CST2R

RN262CST2R

Kirjeldus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi