Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > RN2701JE(TE85L,F)
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2363929RN2701JE(TE85L,F) piltToshiba Semiconductor and Storage

RN2701JE(TE85L,F)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN2701JE(TE85L,F)
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RN2701JE(TE85L,F).pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Pakkuja seadme pakett
    ESV
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    4.7 kOhms
  • Takisti - alus (R1)
    4.7 kOhms
  • Võimsus - maks
    100mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-553
  • Muud nimed
    RN2701JE(TE85LF)TR
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    200MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22
Saatmine
Makse
Järgnev on "RN2701JE(TE85L,F)" seotud tooted.
RN262GT2R

RN262GT2R

Kirjeldus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Kirjeldus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.