Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5619
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6809838JAN1N5619 piltMicrosemi

JAN1N5619

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$8.25
10+
$7.425
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5619
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.6V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    250ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    A, Axial
  • Muud nimed
    1086-2110
    1086-2110-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    500nA @ 800V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
JAN1N5616

JAN1N5616

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5620

JAN1N5620

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5622

JAN1N5622

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5621

JAN1N5621

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5623

JAN1N5623

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5617

JAN1N5617

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5615

JAN1N5615

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5614

JAN1N5614

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5618

JAN1N5618

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi