Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5619
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
6809838JAN1N5619 piltMicrosemi

JAN1N5619

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$8.25
10+
$7.425
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5619
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.6V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    250ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    A, Axial
  • Muud nimed
    1086-2110
    1086-2110-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    500nA @ 800V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
JAN1N5616

JAN1N5616

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5620

JAN1N5620

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5622

JAN1N5622

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5621

JAN1N5621

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5623

JAN1N5623

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5617

JAN1N5617

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5615

JAN1N5615

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5614

JAN1N5614

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5618

JAN1N5618

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi