Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5620US
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
16118

JAN1N5620US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$11.239
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5620US
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N5620US.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.3V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    800V
  • Pakkuja seadme pakett
    D-5A
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    2µs
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SQ-MELF, A
  • Muud nimed
    1086-19424
    1086-19424-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 200°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    500nA @ 800V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N5620US" seotud tooted.
JAN1N5621

JAN1N5621

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Kirjeldus: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Kirjeldus: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Kirjeldus: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.