Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5620
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6294550JAN1N5620 piltMicrosemi Corporation

JAN1N5620

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$10.42
10+
$9.38
25+
$8.546
100+
$7.713
250+
$7.087
500+
$6.462
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5620
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N5620.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1A
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • RoHS staatus
    Bulk
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    A, Axial
  • Muud nimed
    1086-2111
    1086-2111-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    2µs
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Tootja Partii number
    JAN1N5620
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 800V 1A Through Hole
  • Dioodide seadistamine
    500nA @ 800V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    800V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 200°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N5620" seotud tooted.
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Kirjeldus: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Kirjeldus: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.