Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIJ482DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6645654SIJ482DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIJ482DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.90
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIJ482DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIJ482DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.7V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5W (Ta), 69.4W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIJ482DP-T1-GE3TR
    SIJ482DPT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2425pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    71nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    80V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 80V 60A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIJ482DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
STB10NK60ZT4

STB10NK60ZT4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
APT20M22LVFRG

APT20M22LVFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 100A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NVD5C454NLT4G

NVD5C454NLT4G

Kirjeldus: T6 40V DPAK EXPANSION AND

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SPP17N80C3XKSA1

SPP17N80C3XKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
PHP66NQ03LT,127

PHP66NQ03LT,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 66A TO220AB

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.