Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIJH440E-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
7037875SIJH440E-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIJH440E-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.16
10+
$2.852
100+
$2.292
500+
$1.783
1000+
$1.477
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIJH440E-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIJH440E-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 8 x 8
  • Seeria
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.96 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    158W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-PowerTDFN
  • Muud nimed
    SIJH440E-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    20330pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 200A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    200A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIJH440E-T1-GE3" seotud tooted.
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MTD3055V

MTD3055V

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FDMS7692A

FDMS7692A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BUK952R8-60E,127

BUK952R8-60E,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFPF50

IRFPF50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXTV30N50P

IXTV30N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.