Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIJ484DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4513209SIJ484DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIJ484DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIJ484DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIJ484DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5W (Ta), 27.7W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1600pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIJ484DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NX2301PVL

NX2301PVL

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 20V 2A TO236AB

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
CEDM7004VL TR

CEDM7004VL TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
STW54NK30Z

STW54NK30Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 54A TO-247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AOTF2618L

AOTF2618L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 16A TO220F

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FDS6294

FDS6294

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.