Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT30F50B
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
705479APT30F50B piltMicrosemi

APT30F50B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$7.45
30+
$6.108
120+
$5.512
510+
$4.618
1020+
$4.022
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT30F50B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 [B]
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 14A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    415W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    APT30F50BMP
    APT30F50BMP-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4525pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    115nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Kirjeldus: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 203W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30F50S

APT30F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Kirjeldus: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ120BG

APT30DQ120BG

Kirjeldus:

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30F60J

APT30F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ120BCTG

APT30DQ120BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Kirjeldus: DIODE MODULE 200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 203W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ100KG

APT30DQ100KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Kirjeldus: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi