Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > APT30GN60BG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
752866APT30GN60BG piltMicrosemi

APT30GN60BG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
150+
$3.732
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT30GN60BG
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 63A 203W TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APT30GN60BG.pdf
    2.APT30GN60BG.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Testimise tingimus
    400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    12ns/155ns
  • Switching Energy
    525µJ (on), 700µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 [B]
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    203W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    APT30GN60BGMI
    APT30GN60BGMI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Väravad
    165nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B]
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    90A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    63A

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT30GN60BG" seotud tooted.
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Kirjeldus: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Kirjeldus: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

Kirjeldus: IGBT 600V 64A 250W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 64A 250W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Kirjeldus: DIODE MODULE 200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 250W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 203W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Kirjeldus: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 250W TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.