Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT30GP60JDQ1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1668389APT30GP60JDQ1 piltMicrosemi

APT30GP60JDQ1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
20+
$25.777
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT30GP60JDQ1
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 67A 245W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 30A
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    POWER MOS 7®
  • Võimsus - maks
    245W
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    3.2nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    PT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP®
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    500µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    67A
  • Konfiguratsioon
    Single
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30F60J

APT30F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30M19JVR

APT30M19JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

Kirjeldus: IGBT 600V 64A 250W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

Kirjeldus: IGBT 600V 64A 250W TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 203W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Kirjeldus: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30M19JVFR

APT30M19JVFR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 250W TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Kirjeldus: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30M40B2VFRG

APT30M40B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 250W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 64A 250W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 203W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30F50S

APT30F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30F50B

APT30F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi