Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT30F50S
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5719130APT30F50S piltMicrosemi

APT30F50S

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
90+
$7.262
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT30F50S
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APT30F50S.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D3Pak
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 14A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    415W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    21 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4525pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    115nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT30F50S" seotud tooted.
APT30DQ120BG

APT30DQ120BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Kirjeldus: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Kirjeldus: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Kirjeldus: DIODE MODULE 200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Kirjeldus: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30DQ120BCTG

APT30DQ120BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 203W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 203W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.