Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT30GF60JU2
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
820146APT30GF60JU2 piltMicrosemi

APT30GF60JU2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT30GF60JU2
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 58A 192W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 30A
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    192W
  • Pakett / kott
    ISOTOP
  • Muud nimed
    APT30GF60JU2MI
    APT30GF60JU2MI-ND
  • Töötemperatuur
    -
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    1.85nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount SOT-227
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    40µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    58A
  • Konfiguratsioon
    Single
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Kirjeldus: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30F60J

APT30F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30F50B

APT30F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 250W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Kirjeldus: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 203W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 63A 203W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Kirjeldus: DIODE MODULE 200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30F50S

APT30F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 463W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi