1N5804US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

$11.71

10+

$10.647

100+

$9.05

500+

$7.719

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

1N5804US
Tootja / bränd

Microsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 100V 1A D5A
Lead Free status / RoHS staatus

Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
Andmelehed

1N5804US.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

875mV @ 1A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

100V
Pakkuja seadme pakett

D-5A
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

25ns
Pakend

Bulk
Pakett / kott

SQ-MELF, A
Töötemperatuur - ühenduskoht

-65°C ~ 175°C
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

7 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 100V 1A Surface Mount D-5A
Praegune - tagasikäik @ Vr

1µA @ 100V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

1A
Mahtuvus @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Järgnev on "1N5804US" seotud tooted.

1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5805

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5808

Kirjeldus: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5803

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5806TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ