Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N5806TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
58346271N5806TR piltMicrosemi

1N5806TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N5806TR
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1N5806TR.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    875mV @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    150V
  • Pakkuja seadme pakett
    A-PAK
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    25ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    A, Axial
  • Muud nimed
    1N5806
    1N5806E3
    1N5806E3TR
    1N5806E3TR-ND
    1N5806TR-ND
    1N5806TRTR
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 150V 2.5A Through Hole A-PAK
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 150V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    2.5A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
  • Baasosa number
    1N5806

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N5806TR" seotud tooted.
1N5807US

1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5802

1N5802

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5802US

1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5802US

1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5809US

1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5807

1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5806C.TR

1N5806C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5807

1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5808

1N5808

Kirjeldus: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5804US

1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5804US

1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5805

1N5805

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5809

1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5809

1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5804

1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5806US

1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5804

1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5806US

1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5803

1N5803

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5807US

1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.