1N5806C.TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

$6.36

10+

$5.678

100+

$4.656

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

1N5806C.TR
Tootja / bränd

Semtech
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
Lead Free status / RoHS staatus
Andmelehed

1N5806C.TR.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

875mV @ 1A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

150V
Pakkuja seadme pakett

Axial
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

25ns
Pakend

Cut Tape (CT)
Pakett / kott

Axial
Muud nimed

1N5806C.CT
Töötemperatuur - ühenduskoht

-65°C ~ 175°C
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

Not Applicable
Tootja Standardne pliiaeg

46 Weeks
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 150V 2.5A Through Hole Axial
Praegune - tagasikäik @ Vr

1µA @ 150V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

2.5A
Mahtuvus @ Vr, F

25pF @ 5V, 1MHz

Järgnev on "1N5806C.TR" seotud tooted.

1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5802

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5805

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5808

Kirjeldus: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5806TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ