1N5807

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

250+

$9.765

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

1N5807
Tootja / bränd

Semtech
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL
Lead Free status / RoHS staatus
Andmelehed

1N5807.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

875mV @ 4A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

50V
Pakkuja seadme pakett

Axial
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

30ns
Pakend

Bulk
Pakett / kott

Axial
Muud nimed

1N5807S
Töötemperatuur - ühenduskoht

-
Paigaldus tüüp

Through Hole
Tootja Standardne pliiaeg

46 Weeks
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 50V 6A Through Hole Axial
Praegune - tagasikäik @ Vr

5µA @ 50V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

6A
Mahtuvus @ Vr, F

60pF @ 5V, 1MHz

Järgnev on "1N5807" seotud tooted.

1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5805

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5808

Kirjeldus: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5811C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ

1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5806C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Semtech

Laos

RFQ